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    ITO真空镀膜机薄膜制作的影响因素

    2020-11-25

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          说到ITO真空镀膜机镀制ITO薄膜,可能大家不知道是什么东西,如果说手机屏幕上面有一层透视的触摸屏,大家就会恍然大悟,我们现在日常使用的手机,上面都用一种ITO薄膜材料,即实现了透视的效果,也实现了触屏的效果。近些年,手机更新换代,使用广泛,几乎人手一台,ITO薄膜可以说消耗量也是巨大的。今天汇成真空小编要为大家讲的是ITO真空镀膜机薄膜制作的影响因素:

    ITO真空镀膜机

           ITO真空镀膜机镀制ITO薄膜在溅镀过程中会产生不同的特性,有时候表面光洁度比较低,出现“麻点”的现象,有时候会出现高蚀间隔带,在蚀刻时还会出现直线放射型缺划或电阻偏高带,有时候会出现微晶沟缝。各种特性的产生一般取决于靶材和玻璃的选用,溅镀时所使用的温度和运动方式。
           当前常用的ITO靶材制作是通过烧结法生产的,就是由氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)粉末按照一定的比例进行混合,通常质量比是90%In2O3和10% SnO2,再通过一系列的生产工艺加工成型后,以1400℃~1600℃高温通氧气烧结,最终形成的黑灰色陶瓷半导体(氧化铟锡,ITO)。一般通过外观就可以了解ITO靶材的质量,深灰色是最好的,相反越黑质量越差,我国生产的ITO靶材质量还可以的是黑灰色的。
           研究显示,在 ITO真空镀膜机镀制ITO薄膜溅镀过程中,使用磁控溅射的方式,基底温度控制在200℃左右可以保证薄膜85%以上高可见光透过率下,电阻率达到最低,而薄膜的结晶度也随着基底温度的提高而提高,晶粒尺寸也逐渐增大,超过200℃后透射率趋于减弱;使用电子束蒸镀的方式,随着退火温度升高,晶粒尺寸变大,表面形貌均一稳定,超过600℃后颗粒变得大小不一,形状各异,小颗粒团聚现象严重,薄膜表面形貌破坏。
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